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       化学气相成长镀膜方法是将气体 状原料含有需在基板上堆积物质的气体化学物原料玻璃瓶厂用H2,N2,Ar气的载流气引入至基板区域，通过化学反应在基板上形成薄膜的方法。玻璃瓶公司通过化学反应的控制可在基板上形成金属，半导体，绝缘体等各种薄膜。
        DVD法为一不均匀系统反应，玻璃瓶生产厂家根据技术人员对此反应的气体，反应副产物气体等的光谱分析，可以认为其反应如下，1反应气体输送2反应气体被基板材料吸附并在表面扩散，3在基板表面出现化学反应，成核及膜成长4，反应副产物为气体，在基板表面解吸，扩散及由基板表面脱离，5不断提供的反应气体原料使镀层有导状生长为完整的薄膜。这些过程中最慢的过程决定了整体反应沉积薄膜的速度。
         沉积温度下参加反应的各种物质应具备足够的蒸汽压或应举备足够的过饱合度。徐州玻璃瓶厂在介绍中给出了CVD法中成膜温度与过饱度对薄膜结构的影响示意。
        参加反应的原料物质应为气态，反应生成物除镀层材料为固态外其余也应为气态。玻璃瓶厂把沉积镀膜温度下基板及沉积物本身的蒸汽压要足够低，才可保证在反应中固态沉积物与基板形成牢固的结合。